本文是基于聚己基噻吩(P3HT)薄膜为研究对象,通过控制薄膜制备时溶剂的挥发速度来调控其微结构及其薄膜晶体管的性能。第一部分我们使用不同浓度的氯仿溶液通过旋涂法制备了P3HT薄膜。一维面外掠入射X射线表征的结果说明面外方向(100)衍射峰的强度会随着所用溶液的浓度下降而增高,而比较(010)衍射峰的变化趋势,正好相反。我们进而观察二维掠入射X射线衍射,其结果表明这是由于低浓度溶液制备的薄膜中分子链从face-on取向为主转变为edge-on取向为主。通过测量薄膜晶体管器件性能,可以证明edge-on取向对应着更高的载流子迁移率。这与采用高沸点溶剂制备的样品得到的结果类似。第二部分我们采用了溶剂辅助旋涂法这一新方法制备样品,它的本质也是通过抑制溶剂挥发来调控薄膜微结构。我们使用氯苯溶剂制备了三组不同条件的样品,分别是正常旋涂的、经过120min熏蒸后处理的和采用溶剂蒸汽辅助旋涂法制备的样品。经过一维面外掠入射X射线表征发现经过熏蒸后处理与溶剂辅助旋涂法制备的样品的吸收峰强度相近,都高于正常旋涂制备的薄膜吸收强度。相应的薄膜晶体管器件迁移率采用溶剂辅助旋涂法制备的器件迁移率为0.041cm2/vs,而正常条件制备的器件迁移率为0.007cm2/vs。通过对结晶性和器件迁移率进行的比较,这种新型的溶剂蒸汽辅助旋涂法相当于正常旋涂和后续熏蒸处理两个过程,这种方法可能会在实际生产过程中节省更多的时间,生产程序也更加简单,所以这种新型的溶剂蒸汽辅助旋涂法应该值得广泛的关注。