垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)因光束质量高、易于实现二维列阵和光电集成等优点,在光纤通信、光互连、光存储等领域有广阔应用前景。当器件结构不完整时会产生噪声,噪声的存在会给它的实际应用带来诸多问题,甚至影响其所在系统性能。近年发展起来的低频电噪声方法,能够快速、准确、无损伤的检测器件质量,并且对器件潜在的缺陷极为敏感。开展VCSEL低频电噪声特性研究对评价器件可靠性,改善器件性能,制备低噪化器件具有重要意义。论文主要工作如下:在低偏置电流范围内,通过低频噪声直接测试系统检测大功率垂直腔面发射激光器的电压1/f噪声功率谱密度,得到当前性能好器件的噪声幅度随偏置电流的变化规律;对实验现象从半导体激光器噪声等效电路角度进行分析和解释,指出电压1/f噪声幅度与器件内部缺陷是有相关性的,电压1/f噪声幅度增大反映并联泄露回路引起的噪声,电压1/f噪声幅度减小反映器件有源区缺陷引起的噪声。不同器件的电流泄露程度是不同的,电流泄露严重的器件噪声幅度最高点出现的位置较晚。