以重掺硼直拉单晶硅片为衬底的p／p+外延片用于制造集成电路时,可避免CMOS器件的闩锁效应。因此重掺硼直拉硅单晶是一种重要的硅材料。重掺硼除了提高单晶硅的电导率以外,还会对单晶硅的缺陷产生影响。本论文研究了重掺硼对直拉单晶硅中的位错和氧沉淀的影响,得到如下主要结论：(1)对重掺硼直拉单晶硅中原生位错的形成进行了研究。结果表明,当硼的掺杂浓度高于7×1019 cm-3时,单晶硅中产生原生位错,它们以一定的形态集中分布于晶体截面的某些位置而不扩展到整个截面。将存在原生位错的硅片进行多种条件下的退火,结果显示：高温热处理可使原生位错减少,特别是在1000℃保温1小时后原生位错几乎消失。(2)研究了重掺硼对单晶硅中位错运动的影响。结果表明：高浓度的硼杂质对位错滑移具有一定的钉扎作用。单晶硅中硼的浓度越高,位错滑移激活能越大,位错滑移速度越慢,位错滑移距离的最大值越小,且到达该最大值所需的热处理时间越长。(3)研究了不同掺杂浓度的重掺硼直拉单晶硅的氧沉淀行为。结果表明：在特定的热处理条件下,某一临界浓度以下的重掺硼对氧沉淀具有促进作用,而在此临界浓度以上,重掺硼反而抑制氧沉淀。对于低-高两步退火而言,形核的温度越高、时间越长,上述临界浓度越低；对于高温单步退火而言,退火温度越高,上述临界浓度越低。