在少数具有压电,热释电或铁电性的聚合物中,聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物具有极佳的电活性,可用作为智能材料。其拥有非极性相和极性相,极性相如β晶,γ晶以及δ晶电活性更加优异,故研究出具有高含量的极性相的薄膜具有非常重要的意义。本文分别研究制备了 PVDF单层膜及PVDF/P(VDF-TrFE)双层膜。通过PVDF单层膜研究了 PVDF α向γ’相转变能力,成功制备了高γ晶含量的PVDF薄膜样品。另外,还研究了通过附生的方法制备PVDF/P(VDF-TrFE)双层取向膜,来调控其具体结构使得其铁电性能得以提升。取得的主要结果如下:1.控制聚偏氟乙烯α相到γ’相的相变能力在本研究中,首先在等温结晶过程中获得了α-PVDF球晶,并通过温度程序来控制了α-PVDF球晶的固固相转变的能力。如果在等温结晶过程(步骤1)之后进行降温过程(步骤2),则在随后的退火过程(步骤3)中,几乎所有在步骤1中形成的α球晶都转变为γ’球晶。相反,若没有步骤2,只有比较少数量的α球晶转变为γ’球晶。通过结合原位表征的方法,监测了退火过程中微观和纳米尺度的结构演变,并揭示了降温过程中形成的α相控制α向γ’相转变能力的机理。最终获得了具有高含量γ相的薄膜,进而也可以促进PVDF在压电/铁电器件中的应用。2.PVDF/(P(VDF-TrFE)双层取向膜的结构与铁电性能为了改善器件的性能,对铁电聚合物薄膜的结构和形态有很高的要求。虽然已经在控制晶体取向方面,很多研究做了很多努力,但是很少有研究通过附生的方法研究P(VDF-TrFE)薄膜。在这项工作中,我们将P(VDF-TrFE)旋涂在取向PVDF薄膜上。样品经历热退火之后,通过原子显微镜(AFM),红外光谱(IR)和X射线衍射(XRD)系统地表征P(VDF-TrFE)的取向形态和分子取向,可以观察到层状形态的良好有序排布的P(VDF-TrFE)的edge-on片晶,且P(VDF-TrFE)的c轴平行于熔体拉伸方向,b轴垂直于基底。更重要的是,取向的PVDF薄膜诱导使得P(VDF-TrFE)薄膜变得有取向。此外,经压电响应原子力显微镜(PFM)和铁电测试仪测试,PVDF/(P(VDF-TrFE)双层取向膜的压电和铁电性能良好,为制备性能良好的存储器件提供了基础。