高压大功率压接型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transisitor,绝缘栅双极型晶体管)器件是全控型的功率半导体器件,具有功率密度大、可靠性高及易于串联等优点,是制造各类柔性高压直流输电装备的核心器件。在压接型IGBT器件自主研发的过程中,其电气绝缘性能将是最关键的挑战之一。目前一种研发中的压接型IGBT内子模组采用了聚醚醚酮PEEK(Polyetheretherketone)作为绝缘框架的材料,PEEK材料在实际运行中承受电热复合应力的作用,在此复杂工况下PEEK材料的介电特性将直接影响子模组整体的电场分布,从而影响压接型IGBT子模组的绝缘可靠性。首先,研究了频率对PEEK材料介电特性的影响。搭建了满足压接型IGBT器件绝缘框架应用工况的PEEK材料介电特性频域测试平台,在10-2Hz～106Hz的频率范围内对PEEK材料介电特性进行了测试,在宽频介电谱测量结果的基础上,对PEEK材料宽频介电响应行为进行了机理分析,采用Cole-Cole模型建立了可以准确描述PEEK材料宽频介电响应行为的介电驰豫模型。其次,研究了电场强度对PEEK材料介电特性的影响。研制了满足压接型IGBT器件绝缘框架应用工况的PEEK材料介电特性时域测试平台,可在10MV/m～70MV/m的电场强度范围内对PEEK材料介电特性进行测试。实验获得了不同电场强度下PEEK材料的时域介电特性,建立了 PEEK材料的介电特性及直流电导率和电场强度的关系,给出了 PEEK材料直流电导率与电场强度之间的经验模型。最后,研究了温度对PEEK材料介电特性的影响。分别在频域介电特性以及时域介电特性平台中引入温度模块,测试了电热复合应力下PEEK材料的介电特性。结合 DSC(Differential Scanning calorimeter)的测试结果,分析了温度对 PEEK 材料宽频介电特性的影响规律,以及高场强下温度对PEEK材料低频介电特性与直流电导率的影响。