【摘 要】
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该论文的工作主要包括以下四个方面:1)研究了用能量密度等离子体法来促进金刚石在异质衬底上的高密度形核,发现金刚石在经过高温高密度CH等离子体处理后的硅片表面的形核密度
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该论文的工作主要包括以下四个方面:1)研究了用能量密度等离子体法来促进金刚石在异质衬底上的高密度形核,发现金刚石在经过高温高密度CH<,4>等离子体处理后的硅片表面的形核密度达3×10<9>cm<-2>.XPS等分析表明在处理的硅片表面有大量 的sp<3>杂化的籽晶存在;2)研究了45＃钢上以Al-N为过渡层生长连续金刚石膜,发现Al-N能抑制碳原子向钢基体中的扩散,并且能为金刚石提供良好的生长表面;3)研究了金刚石膜的B离子注入掺杂,退火及所制得的P型金刚石膜的电学参数.研究人员得到的最佳注入剂量为10<16>cm<-2>左右.最合适的退火温度为700℃,时间为2-4min.此时的电阻率(与未注入的金刚石相比)下降近9个数量级降至最低,为0.1Ωcm.说明已经成功地制得了P-type金刚石膜;4)进一步研制了P型金刚石膜与N型Si衬底形成的p-n异质结原型器件,并对其p-n结效应进行了研究.伏安特性曲线的测试结果表明,此异质结的正反向电阻比近2个量张,可见其p-n结效应比较明显.这说明了离子注入是一种非常有效的多晶金刚石膜的掺杂手段用来制取半导体器件.
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