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ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,自由激子结合能高达60meV,远大于GaN的25meV。作为一种优秀的半导体材料,ZnO在太阳能电池、声表面波器件、短波长发光二极管和紫外光探测器等方面有着广泛的应用。但是现阶段ZnO薄膜的生长通常是沿着c轴方向生长出来的(002)面取向的极性ZnO薄膜,在这个方向上生长的薄膜由于自发极化和压电效应的差异而产生没有抵消的极化电荷,该电荷会在量子阱中产生内建电场,降低电子可空穴的复合的几率从而影响器件的发光效率。如果改变薄膜的生长方