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ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,具有较高的激子束缚能(60eV),即使在室温条件下激子也不会分解,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。本文利用射频磁控溅射技术制备了高度C轴择优取向的ZnO基薄膜,采用金相显微镜、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计、X光电子能谱和超导量子干涉仪等分析测试手段,研究了样品的表面形貌、晶体结构、光学和磁学性能等。结果如下:一.在Si(