近来年,随着全球气候变暖的加剧和与日俱增的传统化石能源消耗,引起了严重的环境问题和能源危机。为了应对当前所面临的这些严峻问题,急需开发清洁能源及其设备。超级电容器由于其具有高的功率密度、快速的充放电速度、长的循环寿命、安全性和可靠性较高以及环境友好性等优势作为一种能量转换和存储设备被广泛研究。MoS2作为一种典型的具有类石墨烯“三明治”结构的TMDs材料而在超级电容器领域被广泛研究。MoS2的层间距为0.615 nm,比石墨烯大且可以进一步扩大,并导致MoS2处于解耦状态。本文从调控材料的结构入手,对MoS2的层间距进行精细调控,从而完成对其电化学超级电容器性能的提升,并分析了性能提升的机理。本文的主要研究内容和结果如下:1.提出了一种小分子直接包埋策略来构建高性能的超级电容器,用一锅水热法制备出一种硫氰酸铵插层MoS2微米花材料（E-MoS2）。该制备策略是通过将硫氰酸铵的电离产物SCN-和NH4+直接嵌入到MoS2的层间,可以在硫脲过量的情况下简单实现。E-MoS2允许快速稳定的电荷转移/扩散,并暴露更多的活性位点以增强其电容性能。通过XRD,FT-IR,TGA和TEM证实,在二硫化钼层间插入了硫氰酸铵。从实验测试中知道,当合成样品的钼硫比为1:10时可以获得最佳的超级电容器性能,并且在1 A g-1的电流密度下,该样品的质量比容量达到170 F g-1。在2 A g-1电流密度下进行3000次循环测试之后,该样品的放电质量比容量仍然有98.5 F g-1,容量保持率有70%。这显示出E-MoS2具有良好的超级电容器性能和循环稳定性。这可能是由于硫氰酸铵插层MoS2打开了其层间距,MoS2层间距的打开有望降低储能时Na+嵌入的扩散势垒并改善其导电性。该合成硫氰酸铵插层MoS2微米花材料将硫脲的同分异构转化、硫氰酸铵的插层和MoS2的合成通过一锅水热法同步完成,简化了工艺步骤,具有合成过程简单,成本低等优点。2.通过降低制备MoS2的反应温度这一策略,制备出一种氧掺杂MoS2微米花材料（O-MoS2）。O-MoS2允许快速稳定的电荷转移/扩散,并暴露更多的活性位点以增强其电容性能。通过XRD、Raman、FT-IR和EDS证实,氧掺杂这种手段打开了MoS2的层间距。从实验测试中知道,O-MoS2获得优异的超级电容器性能,在1 A g-1电流密度下,其质量比容量达到143.1 F g-1。在2 A g-1电流密度下进行3000次循环测试之后,该样品的放电质量比容量仍然有73.5 F g-1,容量保持率有69.3%。这显示出O-MoS2具有良好的超级电容器性能和循环稳定性。这可能是由于氧掺杂打开了MoS2层间距,MoS2层间距的打开有望降低储能时Na+嵌入的扩散势垒并改善其导电性。