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近年来,由于对短波长发光器件的巨大市场需求,人们越来越关注于宽禁带半导体的研究,二氧化锡(Sn02)是一种典型的宽带隙(Eg =3.6eV,300K)的n型半导体材料,但是由于Sn02带隙比较宽,而导带位置较低,电子更难以激发,在此须选用带隙相对比较窄,而导带位置较高的半导体材料进行修饰。关于SnO2/TiO2复合体系已有报道,研究表明由于这两种半导体材料能级匹配,光生电子和空穴可以有效分离,复合几率减小,从而可以提高SnO2/TiO2复合体系的光电性能。但是研究者大多是以溶胶-凝胶法或气相沉淀法制