【摘 要】
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本文利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法成功的在LNO/Si衬底上制备了Pb(ZrTi)O3、PbLa(ZrTi)O3及PbNi(ZrTi)O3薄膜材料，研究了材料在不同锆钛比例下的结构特征和掺杂改性后材料的
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本文利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法成功的在LNO/Si衬底上制备了Pb(ZrTi)O3、PbLa(ZrTi)O3及PbNi(ZrTi)O3薄膜材料，研究了材料在不同锆钛比例下的结构特征和掺杂改性后材料的介电性质、铁电性质以及漏电损耗等性质。
通过X射线衍射光谱、热重差热(DTA-TG)曲线以及扫描电镜(SEM)的测试研究了PZT薄膜的结构特征。
通过对材料的介电特性(C-V)、漏电特性(I-V)和电滞迥线(P-E)测试，研究了不同退火气体、不同退火温度、不同配比和不同掺杂对材料的介电性质、铁电性质和漏电损耗的影响。镧掺杂提高了材料介电常数，降低了材料的矫顽场，但增加了材料的漏电损耗。镍掺杂降低了漏电损耗，但降低了材料的介电常数。
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