传统的电子技术面临着许多挑战,如设备的可扩展性和性能的提高。自旋电子学因其特殊的自旋特性而拥有大量的支持者,并且有望促进电子器件进入下一个时代。磁性斯格明子是一种拓扑稳定的纳米量级的磁化构型。它具有体积小、稳定性好、驱动电流阈值低、可多场调控等优点,成为了下一代电子器件的基础。然而,铁磁斯格明子在运动过程中会受到马格努斯力的作用,使其在垂直于驱动力的方向上产生横向运动,从而导致斯格明子在样品边缘被破坏。本文介绍了基于铁磁斯格明子的二极管的微磁学研究,提出了一种能有效抑制斯格明子横向漂移并实现了斯格明子单向运动的二极管模型。在此,我们通过计算表明由电压控制磁各向异性效应(VCMA)形成的高垂直磁晶各向异性(PMA)的赛道边缘,不仅可以使斯格明子沿纳米赛道安全地运动,还可以提高斯格明子的运动速度。相比于未施加电压时,斯格明子的速度至少提高11.66%。另一方面,我们发现在纳米赛道边缘上通过施加电压形成一个PMA较高的局部区域,可以实现斯格明子的单向运动。此外,我们展示了一个类似于PN结的基于铁磁斯格明子的二极管原型,其还能实现赛道存储器与二极管的功能转换。本文的研究结果可为设计基于斯格明子的二极管提供理论指导。