3C-SiC作为第三代半导体材料具备禁带宽、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高等众多优异的性能,但由于其较大的晶格失配和热膨胀系数使其外延薄膜较为困难。本文主要采用LPCVD(低压化学气相沉积)方法在Si衬底上生长出3C-SiC外延层,并通过改变外延过程中的工艺参数(生长温度、生长压力、生长时间、C/Si比)研究了表面形貌和结晶质量,采用不同的材料分析方法对生长出的3C-SiC进行了测试,并对生长出的3C-SiC纳米线的特性进行了研究,分析结果如下:1.采用LPCVD法在Si衬底上制备的3C-SiC为多晶结构,具有3C-SiC(111)方向择优取向特点。2.比较不同的生长温度,得出随着生长温度的升高,3C-SiC表面和截面形貌表明已生长成膜,但表面不均匀有孔洞出现,达到1300℃时孔洞较少,当达到1350℃时外延层表面反而变得比较粗糙。因此1300℃为较好的生长温度。3.比较不同的生长压力,得出随着生长压力的提高,104Pa下3C-SiC表面粗糙度降低,结晶性提高。因此104Pa为较好的生长压力。4.比较不同的生长时间,得出随着生长时间的延长,120min条件下生长出的3C-SiC外延层较为均匀,孔洞较少,表面生长速率明显提高。因此120min为较好的生长时间。5.比较不同的C/Si比,得出随着C/Si比的增加,单个核的生长模式逐渐由垂直向横向生长发展,C/Si比为1.4时表面出现纳米线,C/Si比保持在1.8时外延层较为均匀,孔洞较少且结晶质量提高。VSM测试表明生长出的3C-SiC具有顺磁性,XPS测试表明3C-SiC表面没有金属元素。因此1.8为较好的生长C/Si比。6.生长出的纳米线为典型的3C-SiC多晶结构,样品表面形貌出现了高密度的不规则杂乱无章的纳米线,长度大约400-500nm左右,直径大约为20nm,分析得出3C-SiC纳米线的生长并不是在冷却过程中发生的,而是在加热和外延生长过程中发生的。通过变温VSM得出随着温度升高,3C-SiC纳米线的矫顽力、剩余磁化强度和饱和磁场强度随之减小。测试结果得出3C-SiC的磁性是由于与Fe反应形成的化合物或由空位产生。