以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS）为代表的功率半导体开关在电子电力系统中扮演着重要角色。随着整个社会的环保意识越来越强,半导体开关的功耗与可靠性越来越被设计者与用户所重视。超结VDMOS通过在传统VDMOS的漂移区中引入交替的P/N柱形成超结结构,使器件在相同的击穿电压下能够将漂移区浓度提高一个数量级,从而极大减小了超结VDMOS的比导通电阻,具有更低的导通损耗,但相应的代价是更复杂的工艺。半导体开关器件在非钳位感性负载开关（Unclamped Inductive Switching,UIS）过程中会同时承受极端的高压和大电流,该种情形下引起的失效是半导体开关器件一种重要的失效形式,雪崩耐量用来衡量器件承受这种极端条件的能力。本文通过测试及仿真研究了超结VDMOS在UIS过程中的电流电压行为以及雪崩耐量的影响因素,提出了一种雪崩耐量提升的超结VDMOS新结构,基于实际工艺条件设计了新结构超结VDMOS的工艺流程。本文的主要内容包括以下几个方面:（1）介绍超结器件的原理,分析了超结VDMOS的击穿电压与比导通电阻之间的折衷关系优于常规VDMOS的原因。介绍雪崩耐量的测试电路及测试原理,分析了常规VDMOS在UIS过程中的失效机理。介绍功率器件的结终端技术,分析了常规结终端技术不适用于超结VDMOS的原因。比较了超结器件常用工艺的优缺点,并给出了超结VDMOS的工艺流程。（2）搭建超结VDMOS的雪崩耐量测试平台,测试了商用器件的雪崩耐量。结合仿真,根据超结VDMOS在UIS过程中的电流电压行为,分析了超结VDMOS在UIS下的失效机理,并探究了工艺过程以及外部因素对器件雪崩耐量的影响。（3）提出了一种具有漂移区变掺杂的超结VDMOS,分析了其提高雪崩耐量的原理。选择了灵活性高的多次外延离子注入工艺,利用TCAD工艺仿真平台设计了击穿电压等级为600V的漂移区变掺杂超结VDMOS。通过工艺仿真确定了元胞及结终端关键参数。对器件的基本特性进行了仿真,器件的元胞击穿电压为698V,比导通电阻为22.9mΩcm~2,雪崩耐量在传统超结VDMOS基础上提升了约12%,为623.9m J。