【摘 要】
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长波长（1.3～1.55μm）量子点结构由于其潜在器件应用前景而广泛受到重视.在我们已有的实验中发现长波发光的InAs /GaAs自组织InAs岛尺寸较大,生长中需要增加In原子在GaAs表面迁移
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长波长（1.3～1.55μm）量子点结构由于其潜在器件应用前景而广泛受到重视.在我们已有的实验中发现长波发光的InAs /GaAs自组织InAs岛尺寸较大,生长中需要增加In原子在GaAs表面迁移长度,我们首先使用了循环生长方法沉积InAs,得到了长波长发光.其次我们在低温325℃沉积InAs层观察到了1.55μm附近的长波长发光.然而其发光强度并不理想.考虑到上述两上实验结果,我们进一步采用在低生长温度下的循环生长技术,沉积了较厚的InAs层.使用原子H辅助生长MBE技术,观察到了H-MBE技术对GaAs（311）A上的step bunching生长的促进作用,形成了很明显的一维量子线结构.并进一步在此结构上生长了InGaAs量子线.发现了step bunching结构对量子线形貌的条件控制作用.该论文的最后部分,我们研究了Si层对GaAs/AlAs界面带阶的改变作用.
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