当前，微波电路系统必须满足高强度对抗，高工作频率，高功率密度，小尺寸，小质量的要求。面对如此高要求的微波电路系统，唯有散热性能更好、集成度更高、小型化程度更高的微波薄膜器件才能满足相关要求。本文从TaN薄膜材料着手并进行研究，最后制备了相关的微波薄膜电阻器。主要开展了三大部分工作（1）TaN薄膜材料的研制（2）微波功率电阻器的仿真设计（3）薄膜电阻器的制备及测试。首先利用磁控溅射法，分别采取不同的溅射气压、溅射氮分压、溅射时间及热处理温度等工艺条件制备薄膜并研究这些参数对TaN薄膜的相结构、方阻和电阻温度系数（TCR）的影响，并进行了重复对比实验。采用HFSS软件仿真设计了额定功率为1W，工作频率为从直流（DC）到10GHz和额定功率为2.5W，工作频率为从直流到5GHz的薄膜电阻器，并把理论设计结果与目标要求相比较并进行优化。最后利用光刻方法制备薄膜电阻器并测试结果。实验结果表明：当溅射气压为0.4Pa时，薄膜有稳定的TaN相结构；当溅射氮分压为2%时，薄膜中出现稳定的TaN相结构，薄膜方阻和TCR在此条件下均符合设计要求；当溅射时间为30min时，薄膜的方阻为50/sq，TCR为87.19ppm此两项指标均符合设计要求；在热处理温度为400℃时，薄膜材料的晶粒较大，稳定性很高，方阻略高于50/sq，TCR＜100ppm均符合设计要求；重复对比实验结果很一致。设计出的两种电阻器的测试结果表明：电阻器的电压驻波比在所处频率范围内均小于1.2，电阻随频率变化也都在50左右，非常符合设计要求。