论文部分内容阅读
本文对Ka波段MMIC低噪声放大器的电路进行了研究和设计，主要包括以下内容：MMIC技术背景和特点，相关器件模型分析和工艺流程简介，最后详细介绍该放大器的设计过程。论文采用台湾WIN半导体公司的0.15μm GaAs Low Noise pHEMT工艺线，借助ADS软件仿真实现了一个工作频率在34~36GHz的MMIC低噪声放大器。该低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构，首先根据不同的目标将各级放大电路设计成分别包含输入输出匹配网络的单级电路，同时各级的输入输出端都匹配到50Ω，这是为了便于级联，其中第一级放大电路加入源极负反馈来改善稳定性。之后根据MMIC设计的特殊性采用两种不同的整体匹配方式，通过对比确定了将偏置电路和匹配电路用一个并联分支线来实现的匹配网络设计方法，因为它能有效的减小芯片面积。最终设计实现的Ka波段MMIC低噪声放大器在34~36GHz内有良好的性能，主要指标为：整体噪声系数小于2.3dB，总增益大于27dB，工作频率内增益平坦度小于±1dB，输入输出驻波比小于1.45，都达到了预期的设计目标。