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半导体激光器是一种电致发光器件,自60年代发明以来,得到了迅猛的发展。随着其新结构与新材料出现以及其器件功能的不断扩展,它在越来越多的领域得到了广泛的应用,如光通信、光存储、军事、生物等各方面。垂直腔面发射半导体激光器(VCSEU)以其光束发散角小、圆形光斑易于与光纤藕合、极短的光学谐振腔易于实现动态单纵模工作、表面出射易于二维列阵器件的集成以及极低的功率消耗有可能由CMOS电路直接驱动等优势已经成为光计算、光互连、光学信息处理、光通讯、神经网络等系统的理想光源。与此同时,随着分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCCVD)等生长技术的发展,使VCSEL器件性能得以飞速提高。VCSEL自从采用了量子阱结构后性能大大改善,但是量子阱阱数的多少才合理一直是一个重要的课题。通常对于有半导体激光器应用的系统来说,激光器是此系统的关键部件,激光器本身的状态对于整个系统的性能有至关重要的影响,所以激光器与外围驱动电路作为一个体系来分析其性能特征是很有必要的,显而易见,对半导体激光器定模即构造其电路模型有助于其在系统中的有效应用。本论文的主要工作如下:1. 本论文采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。2. 介绍了几个有特色的比较典型的半导体激光器的定模工作,它们是阈值以下的半导体激光器、双异质结半导体激光器及多模半导体激光器,主要了解激光器定模的原理、方法及一些处理技巧,对后面量子阱激光器的定模起一个向导作用。3. 详细说明了确定半导体激光器速率方程的一些重要参量的方法。如载流子在SCH区的输运时间;量子阱对载流子的捕获是一个复杂的过程,文中给出了量子捕获时间的计算方法以及实验证明;光增益是关键的参量,它的解析式相当繁琐,由实验曲线拟合其较为简明的经验式,对定模工作是有利的。