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拥有3D结构的FinFET不仅本身具有较低的阈值斜率,同时,还有可以加强栅极电压控制、减少短通道效应、提高能量效率、降低栅极延迟等一系列的优点,让它成为新一代电子电路中元器件的替代选择,并以其优越的性能在模拟和射频电路中得到了迅速应用。然而,由于FinFET自热加重,去耦电容减小,产生的噪声问题相较于其它元器件更加严重,这成为了电路应用的阻碍。在模拟电路和射频电路中,良好的噪声性能是首要要求之一。低频噪声测量是研究半导体结构中杂质和缺陷,诊断半导体器件质量和可靠性的有力工具。在射频电路,高频噪声会严重限制模拟电路的功能。所以,是否有能准确模拟实际噪声问题的噪声模型是至关重要的。噪声模型能准确预估器件工作时噪声的平均功率,为达到预计的电路设计指标做好准备。本文基于针对低频、高频两种情况,分别对FinFET进行了小信号噪声建模。在低频段,考虑到自热效应对FinFET的影响,基于自热对原有的低频噪声模型进行了修改,建立了能表征自热的FinFET低频噪声小信号模型,并通过实际测试数据对该模型进行了验证;在高频段,则是基于短沟道器件建立了 FinFET高频噪声小信号模型,并通过实际测试数据对该模型进行了验证。主要工作如下:(1)阐述了 FinFET的结构、工作机理和制作工艺,分辨了跟传统平面MOSFET的不同之处,简要介绍了目前通用的针对FinFET的BSIM-CMG模型。(2)说明自热产生的原因以及对晶体管的影响,针对FinFET进行了自热小信号模型的建模并给出相应的噪声参数提取算法。(3)说明噪声对电路的影响,并对其产生原理、种类、简易模型进行了介绍。针对低频噪声,给出了低频时的FinFET小信号参数提取算法和基于BSIM-CMG的噪声参数提取算法;针对高频噪声,先简要介绍了二端口网络噪声理论,之后对FinFET高频噪声进行了建模,并给出相关小信号参数以及高频噪声参数提取算法。(4)根据实际测得的SMIC的14nm bulk FinFET的数据,对低频、高频噪声模型进行参数提取并通过Y参数拟合情况来对模型参数提取进行验证。并进行参数计算来验证模型的准确性和可行性,最后对模型的适用范围进行分析。