在光伏行业中,Si₃N₄和SiC颗粒常作为异质形核的籽晶,辅助生长多晶硅铸锭,同时Si₃N₄涂层还可以防止坩埚壁与硅锭间的粘连。然而,此过程不可避免会导致硅中N、C元素的污染,并在凝固过程中形成Si₃N₄和SiC颗粒夹杂,对硅锭的电学性能及出成率均造成极大危害。如何利用Si₃N₄和SiC颗粒的异质形核作用,辅助生长出高性能的多晶硅,并在后续工艺中将其充分去除,是一个重要的研究课题。本论文研究了多晶硅定向凝固过程中Si₃N₄和SiC硬质颗粒与Si的位向关系以及其对铸锭电学性能的影响。同时研究了感应熔炼过程中电磁场对Si₃N₄和SiC硬质颗粒分凝行为的影响。本研究主要得到的结论如下:（1）β-Si₃N₄颗粒为六角棒状,SiC颗粒为立方块状。硅中硬质颗粒的存在会引起金属杂质的富集,使硅锭的少子寿命降低。感应熔炼对硅中的硬质颗粒有较好的排除效果,硬质颗粒在液态硅的底部沉积,且硬质颗粒在距底部50mm-100mm范围内逐渐减少至消失。（2）通过Edge-to-Edge模型计算得到β-Si₃N₄的<112^—0>晶向与Si的<110>晶向原子间距失配度为0.92%,β-Si₃N₄的{011^<sub>3^<sub>}晶面与Si的{110}晶面晶面间距失配度仅为0.1%。通过透射电镜表征,Si的（1^—10）晶面与β-Si₃N₄的（011^<sub>3^<sub>）晶面有重合的衍射斑点。综合edge-to-edge模型的计算与透射电镜的表征,Si与β-Si₃N₄有潜在的匹配关系,β-Si₃N₄可以作为Si的异质形核籽晶。在β-Si₃N₄与Si位向匹配不佳的晶面之间观察到γ-Si₃N₄相,γ-Si₃N₄作为过渡相而出现。（3）通过HRTEM观察到SiC与Si的两相界面较为平整,Si的（011^—）晶面与SiC的（1^—13）晶面,Si的（101^—）晶面与SiC的（12^—1）晶面有较好的匹配关系。通过Turnbull-Vonnegut公式的计算发现Si的（110）面与SiC的（311）面晶,Si的（101^—）晶面与SiC的（12^—1）晶面晶面间距错配度均小于5%,这说明SiC对Si具有潜在形核能力,可作为籽晶辅助生长高性能多晶硅。