有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistor,OTFT）,属于场效应晶体管的一种。与传统非晶硅薄膜晶体管相比,拥有制备工艺简单、成本低、便于集成以及与柔性衬底兼容等优势,目前已被广泛应用于有机发光显示、传感器、有机逻辑电路等领域。本论文是以n型重掺杂的硅为衬底,SiO₂为绝缘层,采用真空蒸镀的方法,通过原子力显微镜和X射线衍射研究在SiO₂和基于p-六联苯（p-6P）/酞菁铜（CuPc）异质诱导的红荧烯薄膜的生长及性能。获得了SiO₂界面上红荧烯薄膜的生长特性和亚稳定机制模型以及p-六联苯/酞菁铜异质诱导生长的具有高度有序形态和结晶结构的红荧烯薄膜。基于这种高质量薄膜制备的器件,载流子迁移率达到1.37×10-2 cm2/Vs,阈值电压-12.87 V,电流开关比达到105,为获得高性能的有机薄膜晶体管奠定基础。并且,p-六联苯/酞菁铜异质诱导生长红荧烯在未来有机发光显示,尤其是柔性显示方面有着很好的应用前景。