二维过渡金属硫化物由于其独特的光、电和热学性质以及在光电器件领域中的广泛应用前景得到极大的关注,但其热输运性质研究因实验测量的复杂性远远落后于其光电性质的研究,而二维TMDs热输运性质的研究对于理解微纳尺度下的物理性质和能量输运过程具有重要的科学意义,并可以为二维材料在光电子器件的应用提供重要物理依据。本文通过分子动力学计算了单层1T-ReS₂和MoS₂的面内热导率及其尺寸效应和温度效应,计算研究得出单层1T-ReS₂在室温下的的热导率约为29W/m K,单层MoS₂为92 W/m K,且两者在Zigzag和Armchair两个方向没有呈现各向异性。通过分析单层1T-ReS₂和MoS₂的声子色散关系得到了声子群速度和声子弛豫时间,并因此得到声子平均自由程。两种材料面内热导率的差异在于单层1T-ReS₂的声子群速度和声子平均自由程都要比单层MoS₂小40%左右。本文还利用分子动力学研究了1T-ReS₂/MoS₂异质结的热输运性质,单层1T-ReS₂/MoS₂异质结在室温下的面内热导率为57.7 W/m K,比1T-ReS₂和MoS₂的面内热导率的平均值62.3 W/m K要稍小,热导率降低的部分原因可能在于异质结界面之间的耦合作用阻挡了声子在面内方向的输运,而分子动力学计算得到1T-ReS₂/MoS₂的界面热导约为243 MW/m²K。此外,本文使用第一性原理计算方法研究了单层1T’-ReS₂（1T扭曲相）的声子热输运,通过SLACK经验公式得到Re链方向的热导率和垂直Re链方向的热导率之间的各向异性比为1.3,与已报道实验测量结果相近,并且通过对黑磷热导率的计算验证了SLACK公式计算的准确性。从计算方法上来说,分子动力学计算依赖于经验势能,其绝对值往往不够准确,一般用于探索材料热输运性质随某个参量变化的趋势。第一性原理计算加玻尔兹曼输运方程的方法足够准确,但是其计算低对称二维材料所需要的计算成本高昂,SLACK公式计算依赖于晶格随温度的细微变化,计算结果对德拜温度非常敏感,更适用于热输运性质各向异性的定性分析或半定量分析。本文通过这几种方法计算二维TMDs材料的热导率,研究结果为低对称二维材料各向异性热输运的理论研究提供重要思路,也为新型二维TMDs材料（光）电子器件的能量输运和热管理提供关键的物理依据。