【摘 要】
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目的:通过回顾性分析植入型心律转复除颤器（ICD）或心脏再同步化治疗除颤器（CRT-D）植入术后不恰当放电的影响因素,探讨如何降低植入ICD/CRT-D术后不恰当放电的发生率,进而改善植入ICD/CRT-D患者术后的生活质量。方法:选择2013年9月至2020年12月期间于皖南医学院弋矶山医院接受植入ICD/CRT-D的患者进行长期且规律的随访,筛选出符合纳入与排除标准的研究对象。根据植入ICD/
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目的:通过回顾性分析植入型心律转复除颤器（ICD）或心脏再同步化治疗除颤器（CRT-D）植入术后不恰当放电的影响因素,探讨如何降低植入ICD/CRT-D术后不恰当放电的发生率,进而改善植入ICD/CRT-D患者术后的生活质量。方法:选择2013年9月至2020年12月期间于皖南医学院弋矶山医院接受植入ICD/CRT-D的患者进行长期且规律的随访,筛选出符合纳入与排除标准的研究对象。根据植入ICD/CRT-D患者术后是否发生不恰当放电,分为不恰当放电治疗组和未发生不恰当放电治疗组,在患者性别、年龄、心功能分级、合并症、起搏器类型、用药种类等基线资料上进行比较,并比较电解质（K+）、BNP、LVEF、心电图QRS时限、QTc、电极情况等临床资料,采用单因素logistics回归及二元logistics回归分析探讨不恰当放电治疗的影响因素以及如何处理的方法。结果:根据纳入和排除标准,共纳入76例植入ICD/CRT-D患者,其中有21例患者术后发生了不恰当放电,发生率27.6%,共记录不恰当放电事件72次。在不恰当放电治疗组,患者平均年龄（63.33±10.85）岁,其中男10例,女11例。6例因快心室率心房颤动（房颤）误识别放电治疗（28.57%）,总共发生8次,其中2例予以射频消融术治疗,其余均予以控制心室率及对症治疗;1例因心房扑动（房扑）发生不恰当放电治疗（4.76%）,予以射频消融术治疗,总共发生1次;2例因房性心动过速（房速）发生不恰当放电（9.52%）,2例因室上性心动过速误识别为室速而放电治疗（9.52%）,4例因非持续性室性心动过速不恰当放电（19.05%）,2例因除颤导线磨损导致阻抗及感知异常致不恰当放电（9.52%）,总发生41次不恰当放电;所有不恰当放电患者中有3例电解质异常。余55例植入ICD/CRT-D患者术后未发生不恰当放电事件。运用SPSS25.0软件比较植入ICD/CRT-D术后患者不恰当放电前后的心功能各项指标变化得知,与放电前相比,不恰当放电后的患者LVEF明显下降（43.90±2.48 vs 38.90±1.95,P<0.05）,BNP（390.29±48.24 vs 949.70±198.85,P<0.05）。通过单因素logistics回归及二元logistics回归分析,术后发生不恰当放电的影响因素为房颤（P<0.05）。结论:ICD/CRT-D术后一旦发生不恰当放电治疗,会使患者心功能进一步恶化,导致心衰症状加重。ICD/CDT-D术后不恰当放电的主要原因是将快心室率房颤、室上性心动过速、房扑及房速等心律失常误识别为室性心动过速,其中快心室率房颤所占比例最高;其他的影响因素还包括程控参数设置、T波过感知、电极故障等。降低ICD/CDT-D术后不恰当放电风险,可以从选用双腔ICD、优化ICD参数设置、药物治疗和导管消融等四个方面着手。
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