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提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路.采用0.6 μm BiCMOS工艺参数,对电路进行模拟仿真,并与先前提出的过热保护电路进行比较.结果表明,该电路具有关断和开启阈值点的准确性强、对温度灵敏度高、超低静态电流和低功耗等特点.
一种BiCMOS过热保护电路
【摘 要】
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提出了一种集成于电源管理芯片内部的过热保护电路.采用0.6 μm BiCMOS工艺参数,对电路进行模拟仿真,并与先前提出的过热保护电路进行比较.结果表明,该电路具有关断和开启阈
【机 构】
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西南交通大学微电子研究所
【出 处】
：
微电子学
【发表日期】
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2005年6期
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