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碳化的硅纳米孔柱阵列的光致发光特性

来源 :郑州大学学报：理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：snowtea1987

【摘 要】

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采用水热腐蚀法制备了硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）,并对其进行了不同时间的高温碳化处理.通过对样品光致发光谱进行对比分析,发现Si-NPA经碳化处理后红光发光峰消失,蓝光发射峰强度

【作 者】

：

胡楚雄 王小波 闫玲玲 蔡晓君 李新建 

【机 构】

：

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室

【出 处】

：

郑州大学学报：理学版

【发表日期】

：

2015年3期

【关键词】

：

硅纳米孔柱阵列 碳化 光致发光 silicon nanoporous pillar array  carbonization  photoluminescenc 

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目,编号61176044

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论文部分内容阅读

采用水热腐蚀法制备了硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）,并对其进行了不同时间的高温碳化处理.通过对样品光致发光谱进行对比分析,发现Si-NPA经碳化处理后红光发光峰消失,蓝光发射峰强度增强,同时出现一个新的紫外光发光峰.结合对Si-NPA中碳原子存在状态的拉曼分析,蓝光发射峰、紫外光发射峰被分别归因于氧化硅的缺陷发光和碳原子掺杂Si-NPA引起的缺陷发光.上述研究结果为澄清Si-NPA的发光机制以及实现其发光稳定性提供了有益的信息.

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