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本文报导了C和X波段GaAs微波双栅功率MESFET的研制情况和器件设计的主要原则、制作技术、器件性能以及使用情况。CX651型较好器件,f0=12GHz,P0=195mW,Gp=13.7dB,第二栅可控增益△GP=34.4dB;DX591型较好器件,f0=6GHz,P0=310nN,GP=7.1dB,第二栅可控增益△GP=33dB。代表了目前我国双栅功率器件的最高水平。