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采用原子层淀积（ALD）的方法在Si（100）衬底上制备了铪铝氧（HfAIO）高介电常数介质，并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺，制备了三组含有不同Al：Hf原子比的铪铝氧（HfAIO）高介电常数介质。电容电压特性（C-V）测试表明，薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al：Hf原子比的减少而增加。实验表明，用N2和NH3对样品进行淀积后退火，可以减小等效电容厚度（CET）、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压，从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。