【摘 要】
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在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中,集成铁电电容的制备是关键工艺之一.文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺:采用lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容Pt/Ti下电极,然
【机 构】
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复旦大学电子工程系ASIC和系统国家重点实验室
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在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中,集成铁电电容的制备是关键工艺之一.文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺:采用lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容Pt/Ti下电极,然后用Sol-Gel方法制备PZT薄膜.在PZT薄膜未析晶前,先将它加工成电容图形,再高温退火成为PZT铁电薄膜.最后完成铁电电容Pt上电极.与传统工艺相比,改进后的工艺能保持PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面.测试结果表明,工艺条件的变动不会影响PZT铁电薄膜的成膜和结构,从而可得到性能优良的铁电电容.
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