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采用ＭＯＣＶＤ方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５￣８２５ｎｍ，阈值电流为１３０ｍＡ。工作电流在４８０ｍＡ时，单面连续输出光功率高达２００ｍＷ，且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ｍＡ时，单面连续输出光功率为０．５Ｗ。
具有线性GRIN结构GaAs／AlGaAs单量子阱激光器
【摘 要】
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采用ＭＯＣＶＤ方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５￣８２５ｎｍ，阈值电流为１３０ｍＡ。工作电流在４８０ｍＡ时，单面连续输出光功率高达２００ｍＷ，且基本保持在单模工作状态。工作在９７０ｍＡ时，单面连续输出
【机 构】
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河北工业大学,哈尔滨工业大学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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河北省自然科学基金
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