【摘 要】
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应用在核能、医学成像、航空航天等场景的半导体器件、电路与集成微系统,将面临各类辐射所导致的损伤效应;不同种类的辐射与半导体材料与器件之间会发生极为复杂的相互作用,并通过与其它环境及工艺因素相互耦合,随尺度逐层传递、放大,从而导致电子系统的功能失常。因此,厘清半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应机制,开发辐射效应多尺度建模与数值仿真技术、精密表征与实验测试技术,具有极为重要的科学意义与实际价值。
【机 构】
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《太赫兹科学与电子信息学报》第一届青年编委会,电子科技大学
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应用在核能、医学成像、航空航天等场景的半导体器件、电路与集成微系统,将面临各类辐射所导致的损伤效应;不同种类的辐射与半导体材料与器件之间会发生极为复杂的相互作用,并通过与其它环境及工艺因素相互耦合,随尺度逐层传递、放大,从而导致电子系统的功能失常。因此,厘清半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应机制,开发辐射效应多尺度建模与数值仿真技术、精密表征与实验测试技术,具有极为重要的科学意义与实际价值。
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