【摘 要】
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已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件（OLED）,可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效
【基金项目】
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Supported by Nature Science Foundation of Gansu Province（No. 3ZS051-A25-034）
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已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件（OLED）,可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs（A）：Al/Alq3/ITO和（B）：Al/LiF（1nm）/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器
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