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介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备，并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律，并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜（SEM）对刻蚀效果进行检测与分析，证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明，该设备在常压下刻蚀硅，操作简单且不易对材料表面产生损伤.