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在Si（111）衬底上用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气（H2）流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明：相同生长时间内AlN的厚度随着H2流量的增加而增加,即H2流量增加会导致AlN生长速率的提高。原子力显微镜测试表明：随着H2流量的增加,AlN表面粗糙度也呈上升趋势。XRD测试表明：随着AlN生长时的H2流量的增加,GaN的（0002）和（1012）峰值半宽增大,即螺型穿透位错密度和