【摘 要】
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采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下（350℃）制备了高质量的富锗硅锗薄
【机 构】
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南开大学电子信息与光学工程学院,中国科学院微电子研究所
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采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下（350℃）制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响。结果发现退火温度高于700℃时,外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化。当退火温度为650℃时,获得了最佳的退火效果。在该退火条件下,外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×106 cm-2下降到4.3×105 cm-2,表面粗糙度从1.27 nm下降到1.
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