硅锗薄膜相关论文
硅基光电子集成和半导体量子计算是两大前沿研究领域。硅基光源的实现是硅基光电子集成的核心课题。将直接带隙的III-V族发光材料......
热电技术是一种非常理想的能量转换方式，它对于应对未来的能源危机和气候变暖十分重要。硅锗热电材料是一种重要的高温热电材料，具有......
Si和Ge是当今微电子和光电子领域使用最为普遍的半导体材料和赖以发展的重要基础。人们已经发现，SiGe纳米薄膜具有许多不同于块体材......
本文在总结目前光伏材料研究进展的基础上,对太阳电池用硅锗基薄膜材料进行了实验设计与研究,采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底......
制备多结叠层电池是提高硅基薄膜电池稳定效率的重要手段。非晶硅锗材料由于带隙可调，宜作为叠层电池子电池的本征层。本文以硅烷和......
本文用强激光直接辐照和弱激光辐照辅助电化学刻蚀方法在硅锗合金薄膜上形成多种低维量子结构。本文围绕着两个方面进行研究:一是......
采用反应磁控溅射法制备非晶硅锗(Si1-x Gex)半导体薄膜,并对其组分、结构、光学性质及影响光学性质的因素进行研究。结果表明:该......
绝缘体上硅锗是近年来受到人们广泛关注和研究的新型微电子材料，它以其独特的全介质隔离结构，可为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射......
本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材......
用脉冲激光辐照和退火氧化处理在硅锗合金衬底上形成了具有不同界面态分布的氧化低维结构.在这些结构中都有在几个纳米的氧化层中......
用未掺杂的Si1-xGex合金薄膜（在硅基上用MBE技术生成,其中x=0.25,薄膜厚度为2000nm）作样品,分别用强脉冲激光（波长为1064nm、脉冲瞬时......
硅锗薄膜材料具有吸收系数高、带隙窄(1.1~0.66eV)的优点，可大幅提高太阳光的吸收效率并拓宽光谱响应范围，从而提高太阳电池的转换效......
采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,......
