【摘 要】
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用密度泛函理论（DFT）中的杂化密度泛函B3LYP方法，在6-31G（d）的水平上对Si4N4团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算，得到了可能的17个异构体，Si4N4团簇的最稳定结构是有8
【机 构】
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兰州理工大学理学院,有色金属新材料国家重点实验室,西北师范大学物理与电子工程学院
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金（10347007,10547007）,甘肃省自然科学基金（3ZS042-B25-023）,兰州理工大学硕士研究基金（SB10200415）
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用密度泛函理论（DFT）中的杂化密度泛函B3LYP方法，在6-31G（d）的水平上对Si4N4团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算，得到了可能的17个异构体，Si4N4团簇的最稳定结构是有8个Si-N键的平面结构，用自然键轨道（NBO）方法分析了成键性质。计算结果表明，Si-N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移，因此Si-N原子间有较强的电相互作用；最强的IR和Raman谱峰分别位于1387．64cm^-1和1415．05cm^-1处；并计算了Si4Nj团簇的最稳定结构的极化率和超极化率。
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