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采用超高真空化学气相沉积技术，在n型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层，利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验。结果表明，重掺Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭，外延层厚度在亚微米级，掺杂浓度为10^17cm^-3。在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件，与传统的硅基肖特基二极管相比截止频率有了大幅提高。