1.22μm HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管

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用液相外延法(LPE)制成具有峰值响应1.22μm和截止波长1.25μm的平面型HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管。通过1.06μm掺钕钇铝石榴石(Nd:Y AG)激光照射获得大于15的雪崩增益。测得反向击穿电压为80V,并测得在40V时的漏电流密度为1×10~(-4)/cm~2。无抗反射涂层时,在1.22μm管子的峰值量子效率是72%。 A planar HgCdTe / CdTe avalanche photodiode having a peak response of 1.22 μm and a cutoff wavelength of 1.25 μm was fabricated by liquid phase epitaxy (LPE). An avalanche gain of more than 15 was obtained by 1.06 μm Nd: YAG laser irradiation. The reverse breakdown voltage was measured at 80V and the leakage current density at 40V was measured as 1 × 10 -4 / cm 2. Without antireflective coating, the peak quantum efficiency at 72 nm for the 1.22 μm tube was 72%.
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