英飞凌专家打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元

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英飞凌科技公司(FSE/NYSE: IFX)的专家已成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20nm, 约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。 Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) experts have successfully developed the world’s smallest non-volatile flash memory cell, breaking the semiconductor industry record. The new memory cell has a circuit width of only 20 nm, which is about one-fifth of the diameter of a hair strand. If you can overcome all the production difficulties such as lithography, the new result is likely to be used in the next few years to create up to 32Gbit non-volatile flash memory chips, equivalent to 8 times the existing products on the market.
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