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在闪存（Flash）中一般都包括一个浮栅电极来存储电荷,现有技术中一般采用氧化物-氮化物-氧化物（简称ONO）结构来作为浮栅电极,制备ONO层的工艺是Flash制造中的关键工艺之一。这是一种通过改善ONO膜层质量而提升SONOS Flash产品VTP/VTE工艺窗口的方法。VTP/VTE窗口是Flash产品最为关键的特性之一,而SONOS Flash产品的VTP/VTE稳定性及窗口大小则取决于ONO膜层的质量。实验数据显示SONOS Flash的VTP/VTE窗口与ONO膜层中的SiON膜的氮/氧含量强相