勾形磁场相关论文
为了了解勾形磁场对CdZnTe晶体生长质量的影响,利用有限元法对坩埚内的热量和动量传递过程进行了全局数值模拟。假定熔体和气相中......
为了了解勾形磁场下相关参数对CdZnTe晶体生长的影响,利用有限元法对坩埚内的热量和动量传递过程进行了全局数值模拟。分析了不同......
本文主要研究单晶炉勾形磁场及其励磁电源的设计。采用有限元对8英寸单晶炉勾形磁场进行建模、仿真，对勾形磁场的磁场强度、磁场分......
该文讨论了勾形磁场对Ｎ＜１００＞，Ｈ＜１１１＞直拉硅单晶电阻率的影响。勾形磁场能够改善电阻率径向均匀性，对电阻率轴向变化影响不大。......
分离结晶Bridgman法作为一种新型的晶体生长方法，融合了传统垂直Bridgman法及Czochralski提拉法的优点，尤其在生长对热应力敏感的晶......
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔......
根据坩埚内熔体对流的类型和分布区域,分析控制对流对勾形（cusp）磁场磁感应强度和磁场位形分布的要求,提出了磁场优化设计目标。采用......
为了更好地了解勾形磁场对分离结晶法制备 CdZnTe 晶体过程中熔体热毛细对流的影响,采用有限差分法对熔体内的热量和动量传递进行......
为有效控制晶体尺寸、金属杂质含量、掺杂元素及氧分布的均匀性,提出在非均匀轴对称勾形磁场中利用磁控提拉法生长硅单晶.用有限差......
采用低雷诺数K-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0．12T条件下，熔体硅内流场......
通过模拟方法得到8英寸单晶炉(16英寸坩埚)勾形磁场的设计参数,并对磁场参数的模拟结果进行了实验验证.结果表明:磁场参数及其分布......
直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一，而晶体生长界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体......
本文采用有限元法对8英寸单晶炉（16寸坩埚）勾形磁场的磁场分布和磁场强度,以及影响磁场强度的线圈匝数、导线面积、线圈间距等因素进......
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算......
利用有限元法对勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟，磁场强度范围为（0-2．0）T。结果表明：勾形磁场......
本文在KX170MCZ型单晶炉上通过调整磁场、调整拉晶中的埚转,主要研究单晶硅棒中的氧含量及轴向分布,最终拉制出低氧含量及较小的氧......
本文是针对单晶炉勾形磁场装置及其电源的设计而进行的。根据相关文献报道,目前横向磁场装置国内已有成品,但勾形磁场装置国内还没......
本文提出了一种低功耗的新勾形磁场结构,来解决现有勾形磁场功耗过大的问题。并以8英寸单晶炉勾形磁场为研究对象,利用有限元法对......
本文采用有限元法对勾形磁场的分布进行了模拟分析,结果表明磁场强度径向分量Bx随径向距离r增大可视为线性增大,并且在线圈中心面......
借助数值模拟手段研究了常重力条件下分离结晶法生长Cd Zn Te晶体过程中液层热毛细-浮力对流,探讨了不同勾形磁场强度和狭缝宽度对......
传统的熔体生长法有Czochralski提拉法和Bridgman定向凝固法，这两种方法存在着各自的优缺点，而新型分离结晶Bridgman方法结合了他们......
大直径硅片的生长技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长界面的形状、温度分布、氧浓度分布等对熔体流动状态十分敏......
以单晶炉低功耗勾形磁场为研究对象，采用有限元法对主要结构参数进行了模拟分析与优化设计。并对磁场优化设计参数进行了实验验证。......
本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上，提出一种新的磁屏蔽体结构，并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象，对其进行了模......
