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在JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶Cu膜,选取沉积态和经过3 h去应力退火的退火态两种Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能.试验结果显示去应力退火后的Cu膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的Cu膜有很大的不同;随保载载荷升高,两种状态下的Cu膜蠕变应力指数均升高.分析认为这是由于退火造成膜基体系内应力的变化,同时减少了薄膜中的各种点缺陷和线缺陷,从而改变了Cu膜蠕变性能的结果.