【摘 要】
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介绍了一种新的微型ＰＴＣ元件的制造工艺，并对各个工序的技术重点做了详细阐述。作者采用等静压成型和切片、划片新工艺制成２ｍｍ×２ｍｍ×０．３ｍｍ微型ＰＴＣ元件，其居里温度为１２０℃，室温电阻率为１００Ω·ｃｍ，升阻比ρｍａｘ／ρ
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介绍了一种新的微型ＰＴＣ元件的制造工艺，并对各个工序的技术重点做了详细阐述。作者采用等静压成型和切片、划片新工艺制成２ｍｍ×２ｍｍ×０．３ｍｍ微型ＰＴＣ元件，其居里温度为１２０℃，室温电阻率为１００Ω·ｃｍ，升阻比ρｍａｘ／ρｍｉｎ大于１０３，电阻温度系数α≥１５％℃－１，时间常数小于２ｓ。
The manufacturing process of a new miniature PTC device is introduced, and the technical focus of each process is elaborated. The author uses isostatic pressing and slicing, scribing new technology to make 2mm × 2mm × 0.3mm miniature PTC components, the Curie temperature is 120 ℃, the room temperature resistivity of 100Ω · cm, lift-resistance ratio ρmax / ρmin greater than 103 , The temperature coefficient of resistance α ≥ 15% ℃ -1, the time constant is less than 2s.
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