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本文采用0.15um增强型砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)工艺和多层基板塑封技术,研制了一款应用于5G终端的中功率放大器。在25GHz-27GHz频率范围内,小信号增益(Gain)大于18dB,输出功率1dB压缩点(P-1)大于18dBm,1dB压缩点的效率(PAE-1)大于25%。