热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mailtohanfeng

【摘要】

：

利用光致瞬态电流谱（ＯｐｔｉｃａｌＴｒａｎｓｉｅｎｔＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响，实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２，退火后各峰的相对强度变化很大，特另ＩＬＴ１／ＩＬＴ３＝Ｃ由退火前的

【作者】

：

张砚华范缇文

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料科学实验室

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

热退火深能级中心砷化镓低温分子束外延 Thermaly annealling LTMBEGaAs Deep Level

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利用光致瞬态电流谱（ＯｐｔｉｃａｌＴｒａｎｓｉｅｎｔＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响，实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２，退火后各峰的相对强度变化很大，特另ＩＬＴ１／ＩＬＴ３＝Ｃ由退火前的Ｃ〉〉１到退火后Ｃ〈〈１，退火温度越高，Ｃ值越小，这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反

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