禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yingzi9252
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重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN).对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAs HBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响.文中基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射-扩散载流子输运机制,对这一现象进行了深入的研究.通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出:为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑禁带变窄量在导带、价带有不同的分配,从而对电流有不同的影响是必要的.
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