transconductance相关论文
报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的......
通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件......
设计了一个轨到轨输入输出范围的低噪声运算放大器。在输入级采用电流补偿的方法来稳定该运算放大器在整个输入共模范围内的跨导，在......
给出了一种常用两级低电压CMOS运算放大器的输入级、中间增益级及输出级的原理电路图,并阐述其主要工作特性.输入级采用了NMOS管和......
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单......
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率......
介绍一种应用于涡轮叶片温度检测系统中的峰值采样电路,采用集成和分立元件混合的跨导型峰值采样电路。经仿真和实验验证,该电路具......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
本文提出并设计了一种新型注入信号的功率源,说明了它的工作原理,重点指出其设计上的特点,最后计算了此功率源的放大倍数及跨导.......
