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针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸。
一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构
【摘 要】
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针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流
【机 构】
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西安卫光科技有限公司
【出 处】
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黑龙江科技信息
【发表日期】
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2016年22期
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