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内透明集电区（Internal Transparent Collector,简称ITC）绝缘栅双极晶体管是新一类IGBT,它在传统PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电......
目前兆瓦至百兆瓦级大容量电力电子装置受限于传统晶闸管换流技术，普遍存在如下几个问题，其中包括开关频率比较低、谐波较高、体积也......
针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单......
采用MCA方法，对弹丸侵彻混凝土介质进行二维模拟，不同元胞尺寸的模拟结果表明，侵彻深度要达到类似试验结果，采用3 mm以下的元胞尺寸是......
根据高压大电流VDMOS的特点,利用工艺模拟软件对工艺流程进行模拟。通过将已知工艺参数与工艺模拟软件相结合,对击穿电压、阈值电......
