【摘 要】
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用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完
【机 构】
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西安电子科技大学,西安电子科技大学,西安电子科技大学 710071,710071,710071
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用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完全反应。对Al/W/TiSi_2/Si接触二极管的I—V测试表明,在480℃以内退火,势垒高度变化不大。当退火温度达500℃时,Si通过TiSi_2层扩散至W阻挡层而使之失效.
The effect of W on the Al / TiSi_2 / Si contact system was investigated by X-ray diffraction and I-V measurement, and compared with the case without W barrier. Thermal stability studies have shown that the W barrier prevents complete reaction of Al with TiSi 2 at annealing up to 100 ° C. I-V tests on Al / W / TiSi2 / Si contact diodes showed that the barrier height did not change much after annealing at 480 ° C. When the annealing temperature reaches 500 ℃, Si diffuses to the W barrier through the TiSi_2 layer to make it fail.
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